理学院迎百年校庆系列报告(二十一):新型准二维纳米线阵列及二维范德瓦尔斯异质结光电器件
[ 作者: 浏览:11 录入时间:2019年11月07日 ]
报告时间:2019年11月10日 19:30-20:15
报告地点:H124
报告摘要:
相比较于一维半导体微纳结构,具有准二维结构的CdS多分支纳米线阵列结构可使电子的输运通道从一维扩展到准二维空间,由于导电通道的增多及比表面积的提高,使其所具有了新奇的光子特性及光电特性。而将电子的输运通道再扩展到二维空间,基于二维材料的范德瓦尔斯异质结由于可以有效克服晶格匹配的约束条件并且借助于可控的能带对齐方式,超薄的形态特征以及界面处不存在悬键等优点,使得基于二维材料的范德瓦尔斯异质结的光电器件性能得到进一步提升。本次报告主要介绍了基于CdS多分支纳米线阵列结构的多维光波导,光开关等光子器件和范德瓦尔斯异质结在自驱动光电探测器方面的应用。
报告人:郭帅
报告人简介:哈尔滨工业大学(威海)理学院光电科学系讲师,博士毕业于北京理工大学,目前从事新型信息功能材料的光谱表征,材料的可控制备、光电器件构建与性能调控等方面的研究。
创建部门:理学院

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